收藏本站

μ PA603T
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ?C)
PARAMETER
Drain Cut-off Current
Gate Leakage Current
Gate Cut-off Voltage
Forward Transfer Admittance
Drain to Source On-State Resistance
Drain to Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
SYMBOL
I DSS
I GSS
V GS(off)
|y fs |
R DS(on)1
R DS(on)2
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
TEST CONDITIONS
V DS = –50 V, V GS = 0
V GS = +16 V, V DS = 0
V DS = –5.0 V, I D = –1.0 μ A
V DS = –5.0 V, I D = –10 mA
V GS = –4.0 V, I D = –10 mA
V GS = –10 V, I D = –10 mA
V DS = –5.0 V, V GS = 0, f = 1.0 MHz
V GS(on) = –4.0 V, R G = 10 ? ,
V DD = –5.0 V, I D = –10 mA, R L = 500 ?
MIN.
–
–
–1.5
15
–
–
–
–
–
–
–
–
–
TYP.
–
–
–1.9
–
60
40
17
9
1
45
75
25
80
MAX.
–1.0
+1.0
–2.5
–
100
60
–
–
–
–
–
–
–
UNIT
μ A
μ A
V
mS
?
?
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
Marking: JA
SWITCHING TIME MEASUREMENT CIRCUIT AND CONDITIONS
V GS
DUT
R L
V DD
Gate
voltage
waveform
10 %
V GS(on)
90 %
R G
I D
PG.
Drain
current
0
t d(on)
10 %
t r
t d(off)
t f
10 %
2
0
V GS
τ
τ = 1 μ s
Duty Cycle ≤ 1 %
waveform
90 %
I D
90 %
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
UPA606T-T2-A MOSFET N-CH DUAL 50V SC-59
UPA607T-T1-A MOSFET P-CH DUAL 50V SC-59
UPA610TA-T2-A MOSFET P-CH DUAL 30V SC-59
UPA611TA-T2-A MOSFET N-CH DUAL 30V SC74-6
UPA621TT-E2-A MOSFET N-CH 20V 6-WSOF
UPA622TT-E2-A MOSFET N-CH 30V 6-WSOF
UPA650TT-E1-A MOSFET P-CH 12V 6-WSOF
UPA672T-T2-A MOSFET N-CH DUAL 50V SC-70
相关代理商/技术参数
UPA604T(T1-A) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape
UPA606T 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:N-CHANNEL MOS FET 6-PIN 2 CIRCUITS FOR SWITCHING
UPA606T-T1-A 功能描述:MOSFET DL N-CH 50V 100MA SC-59 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
UPA606T-T2-A 功能描述:MOSFET N-CH DUAL 50V SC-59 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
UPA607 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FET 6-PIN 2 CIRCUITS FOR SWITCHING
UPA607T 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FET 6-PIN 2 CIRCUITS FOR SWITCHING
UPA607T-T1-A 功能描述:MOSFET P-CH DUAL 50V SC-59 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
UPA607T-T2-A 功能描述:MOSFET P-CH DUAL 50V SC-59 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR